Высокопроизводительные компоненты для специальных и коммерческих применений

Компания Qorvo начала выпуск ряда новых активных и функциональных микросхем Х-диапазона:

  • усилители мощности X-диапазона в пластиковом корпусе. Приборы изготовлены по технологии GaN 0,25 мкм, представлены в корпусе QFN, что ничуть не ухудшает характеристики компонентов.
  • ограничитель с функцией МШУ QPM1000 изготовлен по технологии GaAs pHEMT 0,15 мкм.
  • фазовращатель TGP2108-SM изготовлен так же по технологии GaAs pHEMT 0,15 мкм. Благодаря сочетанию выходных характеристик фазовращатель подходит для использования в фазированных решетках.
Усилители мощности
Парт номерРабочая частота, ГГцМощность насыщения, дБмКПД,%Коэффициент усиления, дБНапряжение смещения, ВКорпус, мм
TGA2622-SM9-10454227,5287×7×1,75
TGA2624-SM9-10434025287×7×1,75
TGM2635-CP8-115035262819,05×19,05×4,52
QPA10002,8-3,002472258257×7×0,85
МШУ/Ограничитель
Парт номерРабочая частота, ГГцМощность, ВтКоэффициент усиления, дБКоэффициент шума, дБСмещение, ВТок, мА
QPM10002-20416,445100
Цифровой фазовращатель
Парт номерРабочая частота, ГГцКоличество битВносимые потери, дБОбратные потери, дБТочка пересечения 1го порядка, дБмТочка пересечения 3го порядка, дБм
TGP2108-SM2,5-465152945

Целевые области применения новых микросхем Qorvo:

  • метео РЛС
  • корабельные РЛС
  • каналы передачи данных (X-диапазон)
  • РЛС гражданского назначения

Компания Qorvo образовалась в 2014 году в результате слияния мировых лидеров рынка СВЧ рынка полупроводниковых приборов компаний RFMD и TriQuint. Самые актуальные технологии, доступные у Qorvo это 0,25 мкм GaAs и 0,25, 0,15 мкм GaN HEMT, работающие в диапазоне частот до 45 ГГц с импульсными выходными мощностями 300 Вт.

Источник:
0
04.03.2016 13:05
109

Комментарии

Нет комментариев. Ваш будет первым!