Новая серия сверхэффективных 800-900 В транзисторов компании Toshiba Semiconductor

Компания Toshiba Semiconductor представляет новую серию сверхэффективных быстродействующих высоковольтных МОП-транзисторов для создания импульсных регуляторов напряжения.

Разработчикам предлагается 4 новых транзистора с номинальным напряжением 800 и 900 В. Транзисторы обладают низким типовым сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on)) вплоть до 1,9 Ом. Целевые области применения новых транзисторов — обратноходовые преобразователи для светодиодных осветительных приборов, дополнительные источники питания и другие устройства, в которых требуется коммутация токов до 5 А.

Следует отметить, высокий показатель качества (FOM — figure of merit), FOMp, определяемый значениями RDS(on) и Qgd (FOMp = RDS(on)*Qgd) у всех транзисторов новой серии, что удалось достичь благодаря применению планарного технологического процесса производства полупроводников восьмого поколения Pi-MOS VIII. Эта технология обеспечивает снижение заряда и емкости затвора без потери преимуществ низкого значения RDS(on).

Технические характеристики:

Модель

VDSS (В)

ID (А)

RDS(on)@VGS=10В макс. (Ом)

Qg тип.(нКл)

Qgd тип.

(нКл)

Ciss тип.

(пкФ)

Корпус

TK4A80E

800

4

3.5

15

7

650

TO-220SIS

TK5A80E

5

2.4

30

10

950

TK3A90E

900

2.5

4.6

15

7

650

TK5A90E

4.5

3.1

20

10

950

Доступность:

Транзисторы находятся в массовом производстве.

Источник:
0
15.04.2016 13:50
177

Комментарии

Нет комментариев. Ваш будет первым!
Загрузка...

Будь в курсе новостей!

Раз в неделю мы отправляем дайджест с самыми популярными статьями.