- Товари
- Транзисторы биполярные (BJTs)
- 2N5551YBU, Транзистор NPN 160В 0.6А 0.625Вт [TO-92]
2N5551YBU, Транзистор NPN 160В 0.6А 0.625Вт [TO-92]
NPN транзисторы разработаны для высоковольтных усилителей общего применения и драйверов газоразрядных дисплеев.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.5 В
Напряжение эмиттер-база 6 В
Рабочие частоты: 100 – 300 МГц
Выходная емкость 6 пФ
Шум (слабосигнальные цепи) 8 дБ
Расположение выводов (слева направо): коллектор-база-эмиттер
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.5 В
Напряжение эмиттер-база 6 В
Рабочие частоты: 100 – 300 МГц
Выходная емкость 6 пФ
Шум (слабосигнальные цепи) 8 дБ
Расположение выводов (слева направо): коллектор-база-эмиттер
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 180 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.6 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 50 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.35 |
| Корпус | to-92 |
Пошук з наявності в Україні:
Пропозиції під замовлення:

![2N5551YBU, Транзистор NPN 160В 0.6А 0.625Вт [TO-92]](/upload/lib/206/DOC001206026.jpg)
![2N5551YBU, Транзистор NPN 160В 0.6А 0.625Вт [TO-92]](/upload/lib/921/DOC002921531.jpg)