FQD19N10LTM, Транзистор N-CH 100V 15.6A, [D-PAK]
Товари Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) FQD19N10LTM, Транзистор N-CH 100V 15.6A, [D-PAK] FQD19N10LTM, Транзистор N-CH 100V 15.6A, [D-PAK] Виробник: ON SemiconductorДокументація: Завантажити Datasheet ОписХарактеристикаПропозиції постачальниківЗ терміном поставкиFQD19N10LTM, Транзистор N-CH 100V 15.6A, [D-PAK]Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В100Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А15.6Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2.5Крутизна характеристики, S14КорпусdpakПошук з наявності в Україні: Пропозиції під замовлення:
![FQD19N10LTM, Транзистор N-CH 100V 15.6A, [D-PAK]](/upload/lib/219/DOC001219012.jpg)
![FQD19N10LTM, Транзистор N-CH 100V 15.6A, [D-PAK]](/upload/lib/093/DOC003093536.jpg)