HGTG10N120BND, IGBT транзистор, [TO-247]

Артикул: HGTG10N120BND

Виробник:

ON Semiconductor

Документація:

Технология/семейство	npt
Наличие встроенного диода	да
Максимальное напряжение КЭ ,В	1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	35
Импульсный ток коллектора (Icm), А	80
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	298
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	23
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	165
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Корпус	to-247