HGTG18N120BND, Транзистор

Артикул: HGTG18N120BND

Виробник:

Fairchild Semiconductor

Технология/семейство	npt
Наличие встроенного диода	да
Максимальное напряжение КЭ ,В	1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	54
Импульсный ток коллектора (Icm), А	160
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	390
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	23
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	170
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Корпус	to-247