- Товари
- Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
- IGW40T120 (G40T120), Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 40А 270Вт [PG-TO-247-3] (замена BUP314)
IGW40T120 (G40T120), Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 40А 270Вт [PG-TO-247-3] (замена BUP314)
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
Технология/семейство | trench and fieldstop |
Наличие встроенного диода | нет |
Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 75 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 105 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.3 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 270 |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 48 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 480 |
Рабочая температура (Tj), °C | -40…+150 |
Корпус | pg-to-247-3 |
Пошук з наявності в Україні:
Пропозиції під замовлення: