- Товари
- Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
- IRF7351PBF, Транзистор, 2N-канала 60В 8А [SO-8]
IRF7351PBF, Транзистор, 2N-канала 60В 8А [SO-8]
Dual N-Channel Power MOSFET, Infineon
Infineon's dual power MOSFETs integrate two HEXFET® devices to provide space-saving, cost-effective switching solutions in high component density designs where board space is at a premium. A variety of package options is available and designers can choose the Dual N-channel configuration.
Infineon's dual power MOSFETs integrate two HEXFET® devices to provide space-saving, cost-effective switching solutions in high component density designs where board space is at a premium. A variety of package options is available and designers can choose the Dual N-channel configuration.
| Структура | 2n-канала |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Крутизна характеристики, S | 18 |
| Корпус | so8 |
Пошук з наявності в Україні:
Пропозиції під замовлення:

![IRF7351PBF, Транзистор, 2N-канала 60В 8А [SO-8]](/upload/lib/974/DOC002974767.jpg)
![IRF7351PBF, Транзистор, 2N-канала 60В 8А [SO-8]](/upload/lib/097/DOC003097693.jpg)