- Товари
- Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
- IRG4PC40FDPBF, Транзистор IGBT 600V Fast 1-8kHz, [TO-247-3]
IRG4PC40FDPBF, Транзистор IGBT 600V Fast 1-8kHz, [TO-247-3]
Co-Pack IGBT over 21A, Infineon
Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses.
Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses.
| Технология/семейство | gen4 |
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 49 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 196 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 160 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 63 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 230 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
| Корпус | to-247ac |
Пошук з наявності в Україні:
Пропозиції під замовлення:

![IRG4PC40FDPBF, Транзистор IGBT 600V Fast 1-8kHz, [TO-247-3]](/upload/lib/773/DOC002773384.jpg)
![IRG4PC40FDPBF, Транзистор IGBT 600V Fast 1-8kHz, [TO-247-3]](/upload/lib/921/DOC002921185.jpg)
![IRG4PC40FDPBF, Транзистор IGBT 600V Fast 1-8kHz, [TO-247-3]](/upload/lib/092/DOC003092940.jpg)