- Товари
- Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
- IRGB4060DPBF, IGBT 600В 16А TO220AB
IRGB4060DPBF, IGBT 600В 16А TO220AB
Co-Pack IGBT up to 20A, Infineon
Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses.
Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses.
| Технология/семейство | trench |
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 16 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 32 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.85 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 99 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 30 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 95 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+175 |
| Корпус | TO-220AB |
Пошук з наявності в Україні:
Пропозиції під замовлення:


