- Товари
- Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
- IRGPS60B120KDP, IGBT 1200В 120А 40кГц, [TO-274AA] (SUPER-247)
IRGPS60B120KDP, IGBT 1200В 120А 40кГц, [TO-274AA] (SUPER-247)
Co-Pack IGBT over 21A, Infineon
Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses.
Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses.
| Технология/семейство | npt |
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 105 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 240 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.75 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 595 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 72 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 366 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
| Корпус | super-247 |
Пошук з наявності в Україні:
Пропозиції під замовлення:

![IRGPS60B120KDP, IGBT 1200В 120А 40кГц, [TO-274AA] (SUPER-247)](/upload/lib/216/DOC001216298.jpg)
![IRGPS60B120KDP, IGBT 1200В 120А 40кГц, [TO-274AA] (SUPER-247)](/upload/lib/716/DOC003716004.jpg)