NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor
Товари Транзисторы биполярные (BJTs) MJ11032G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 120 В, 50 А, 350 Вт, [TO-3] MJ11032G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 120 В, 50 А, 350 Вт, [TO-3] Виробник: ON SemiconductorДокументація: Завантажити Datasheet ОписХарактеристикаПропозиції постачальниківЗ терміном поставкиNPN Darlington Transistors, ON SemiconductorСтруктураnpn darlingtonМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В120Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)50Статический коэффициент передачи тока h21э мин1000Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт300Корпусто-3Пошук з наявності в Україні: Пропозиції під замовлення:
![MJ11032G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 120 В, 50 А, 350 Вт, [TO-3]](/upload/lib/211/DOC001211733.jpg)
![MJ11032G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 120 В, 50 А, 350 Вт, [TO-3]](/upload/lib/899/DOC003899560.jpg)
![MJ11032G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 120 В, 50 А, 350 Вт, [TO-3]](/upload/lib/212/DOC004212048.jpg)