NGD8201ANT4G
IGBT транзистор
Кол-во в упаковке: 2500, корпус: TO252, вес: 0.2
| Технология/семейство | ignition |
| Наличие встроенного диода | нет |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 440 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 20 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.9 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 125 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 5000 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+175 |
| Корпус | d-pak |
Пошук з наявності в Україні:
Пропозиції під замовлення:

