- Товари
- Транзисторы биполярные (BJTs)
- PBSS5540Z.115, Транзистор PNP 40В 5А 2Вт [SOT-223]
PBSS5540Z.115, Транзистор PNP 40В 5А 2Вт [SOT-223]
Low Saturation Voltage PNP Transistors, Nexperia
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 40 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 150 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 120 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 2 |
| Корпус | SOT-223 |
Пошук з наявності в Україні:
Пропозиції під замовлення:

![PBSS5540Z.115, Транзистор PNP 40В 5А 2Вт [SOT-223]](/upload/lib/338/DOC001338467.jpg)
![PBSS5540Z.115, Транзистор PNP 40В 5А 2Вт [SOT-223]](/upload/lib/155/DOC003155179.jpg)