- Товари
- Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
- SGP02N120, FastIGBT 1200В 2A TO220
SGP02N120, FastIGBT 1200В 2A TO220
Артикул: SGP02N120
Виробник:
Infineon Technologies
Infineon Discrete IGBT Transistors
Discrete IGBT transistors from Infineon offer various technologies such as NPT, Trenchstop™ and Fieldstop. They can be used in many applications that may require hard or soft switching including Industrial drives, UPS, Inverters, home appliances and Induction cooking. Some devices include an anti-parallel diode or monolithically integrated diode.
Discrete IGBT transistors from Infineon offer various technologies such as NPT, Trenchstop™ and Fieldstop. They can be used in many applications that may require hard or soft switching including Industrial drives, UPS, Inverters, home appliances and Induction cooking. Some devices include an anti-parallel diode or monolithically integrated diode.
Технология/семейство | npt |
Наличие встроенного диода | нет |
Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 6.2 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 9.6 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 3.6 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 62 |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 23 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 260 |
Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
Корпус | pg-to-220-3-1 |
Пошук з наявності в Україні:
Пропозиції під замовлення: