STB21NM60ND, Mosfet FDmesh II, N-канал, 600 В, 0.17 Ом, 17А, D2PAK
Товари Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) STB21NM60ND, Mosfet FDmesh II, N-канал, 600 В, 0.17 Ом, 17А, D2PAK STB21NM60ND, Mosfet FDmesh II, N-канал, 600 В, 0.17 Ом, 17А, D2PAK Виробник: ST MicroelectronicsДокументація: Завантажити Datasheet ОписХарактеристикаПропозиції постачальниківЗ терміном поставкиSTB21NM60ND, Mosfet FDmesh II, N-канал, 600 В, 0.17 Ом, 17А, D2PAKСтруктураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В600Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А17Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±25Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт140Корпусd2pakПошук з наявності в Україні: Пропозиції під замовлення:
