- Товари
- Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
- STD11NM50N, Mosfet MDmesh II, N-канал, 500 В, 0.4 Ом, 8.5 А, DPAK
STD11NM50N, Mosfet MDmesh II, N-канал, 500 В, 0.4 Ом, 8.5 А, DPAK
The STD11NM50N is a MDmesh™ II N-channel Power MOSFET developed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to strip layout yields lowest ON-resistance and gate charge. It is suitable for the most demanding high efficiency converters.
• 100% Avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8.5 |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±25 |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 70 |
Корпус | dpak |
Пошук з наявності в Україні:
Пропозиції під замовлення: