- Товари
- Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
- STW20NM60, Транзистор, MDmesh, N-канал, 600В, 0.25Ом, 20А [TO-247]
STW20NM60, Транзистор, MDmesh, N-канал, 600В, 0.25Ом, 20А [TO-247]
The STW20NM60 is a 600V N-channel Power MOSFET developed using revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the PowerMESH™ horizontal layout. This MOSFET offers extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing proprietary strip technique, MOSFET boasts an overall dynamic performance which is superior. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
• High dv/dt and avalanche capabilities
• 100% Avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 192 |
Крутизна характеристики, S | 11 |
Корпус | to247 |
Пошук з наявності в Україні:
Пропозиції під замовлення: