• Товари
• Транзисторы биполярные (BJTs)
• TIP112, Составной (Дарлингтон) NPN транзистор, встроенный антипараллельный диод к-э, [TO-220]

TIP112, Составной (Дарлингтон) NPN транзистор, встроенный антипараллельный диод к-э, [TO-220]

Де придбати?

Артикул: TIP112

Виробник:

ST Microelectronics

Документація:

Завантажити Datasheet

• Опис
• Характеристика
• Пропозиції постачальників
• З терміном поставки

NPN Darlington Transistors, STMicroelectronics

Структура	npn darlington с 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	2
Статический коэффициент передачи тока h21э мин	1000
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	50
Корпус	to-220

Пошук з наявності в Україні:

Пропозиції під замовлення: