Новая серия сверхэффективных 800-900 В транзисторов компании Toshiba Semiconductor
Компания Toshiba Semiconductor представляет новую серию сверхэффективных быстродействующих высоковольтных МОП-транзисторов для создания импульсных регуляторов напряжения.
Разработчикам предлагается 4 новых транзистора с номинальным напряжением 800 и 900 В. Транзисторы обладают низким типовым сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on)) вплоть до 1,9 Ом. Целевые области применения новых транзисторов — обратноходовые преобразователи для светодиодных осветительных приборов, дополнительные источники питания и другие устройства, в которых требуется коммутация токов до 5 А.
Следует отметить, высокий показатель качества (FOM — figure of merit), FOMp, определяемый значениями RDS(on) и Qgd (FOMp = RDS(on)*Qgd) у всех транзисторов новой серии, что удалось достичь благодаря применению планарного технологического процесса производства полупроводников восьмого поколения Pi-MOS VIII. Эта технология обеспечивает снижение заряда и емкости затвора без потери преимуществ низкого значения RDS(on).
Технические характеристики:
Модель | VDSS (В) | ID (А) | RDS(on)@VGS=10В макс. (Ом) | Qg тип.(нКл) | Qgd тип. (нКл) | Ciss тип. (пкФ) | Корпус |
800 | 4 | 3.5 | 15 | 7 | 650 | TO-220SIS | |
5 | 2.4 | 30 | 10 | 950 | |||
900 | 2.5 | 4.6 | 15 | 7 | 650 | ||
4.5 | 3.1 | 20 | 10 | 950 |
Доступность:
Транзисторы находятся в массовом производстве.