Энергонезависимая 1 Гбит DDR4 память ST-MRAM от Everspin Technologies

Они с интерфейсом DDR4 объемом 1 Гбит. Это самый большой объем энергонезависимой памяти с интерфейсом DDR4 из доступных на рынке.

Инженерные образцы ST-MRAM на 1 Гбит будут доступны заказчикам в 2017 году.

Ключевые особенности:

• технология уровня 40 нм на 300-мм пластине
• работа с интерфейсами памяти DDR4/DDR3
• самый высокий уровень выносливости среди имеющихся на рынке энергонезависимых запоминающих устройств

Компания Everspin является разработчиком и производителем памяти ST-MRAM – следующего поколения энергонезависимой памяти. В памяти этого типа для записи бита используется ток, протекающий через структуру ячейки. Микросхема ST-MRAM на 1 Гбит является продолжением семейства микросхем, основанных на переносе спиновых состояний (ST-spin toque). В это семейство также входят микросхемы с объемом 64 Мбит и 256 Мбит. Производство микросхем ведется на фабрике ведущего контрактного производителя полупроводниковых микросхем GLOBALFOUNDRIES.