Новый моп-транзистор для электромобилей
Компания Wolfspeed, подразделение лидера светодиодного рынка, корпорации CREE, заявила о разработке нового метал-оксидного полевого транзистора (MOSFET) на основе проприетарной карбидо-кремниевой технологии.
Новые компоненты рассчитаны на напряжение 900 В, имеют внутреннее сопротивление 10 мОм и позволяют работать при продолжительном токе 196 А на истоке (при температуре на корпусе 25°C). Прменение нового чудо-транзистора позволяет снизить потери в инверторе привода электромобиля до 78% при движении в смешанном цикле «город/шоссе». Столь впечатляющие показатели открывают новые возможности перед разработчиками новых моделей электромобилей.
Ныне Wolfspeed, в кооперации с Министерством Энергетики США, разработал и поставляет высокоэффективные силовые сборки для постройки электромобилей на заводах Ford Motor Company. Сборки включают 4 полевых транзистора и рассчитаны на 400 А (при номинале 900 В и сопротивлении 10 мОм). Параллельное соединение сборок позволяет автомобилестроителям получить впечатляющее значение Rds(on) всего лишь в 2,5 мОм. Также инженеры Wolfspeed смогли построить на базе этих сборок модули на 800 А с сопротивлением всего лишь в 1,25 мОм.
«С началом массового производства новых транзистором на 900 В 10 мОм, электромобили смогут сполна продемонстрировать все преимущества карбидо-кремниевых технологиях, что отразится в их характеристиках,» – делится Джон Палмор (John Palmour), технический директор Wolfspeed. «По мере внедрения 3-го поколения нашей линейки МОП-транзисторов, новые показатели эффективности становятся возможны в различных сегментах – ранее это были встроенные и внешние зарядные устройства для электромобилей, а теперь силовой привод электромобилей«.
Новые компоненты рассчитаны на эксплуатацию при температурах до 175˚C, что открывает дорогу для их применения в силовой схеме электромобилей. Уже в ближайшие недели разработчики обещают представить миру сборки на новых транзисторах.
| Blocking Voltage | 900 V |
| Current Rating at 25°C | 196 A |
| Rds(on) at 25°C | 10 mΩ |
| Package | Bare Die |
| Gate charge total | 68 nC |
| Reverse-Recovery Charge (Qrr) | 1700 nC |
| Output Capacitance | 350 pF |
| Reverse-Recover Time (Trr) | 32 ns |
За консультациями по применению современных электронных компонентов обращайтесь в отдел электронных компонентов компании VD MAIS — официального дистрибьютора продукци