PNP Darlington Transistors, ON Semiconductor
Товари Транзисторы биполярные (BJTs) 2N6667G, Биполярный транзистор, PNP, -60 В, 2 Вт, -10 А, 100 hFE [TO-220] 2N6667G, Биполярный транзистор, PNP, -60 В, 2 Вт, -10 А, 100 hFE [TO-220] Виробник: ON Semiconductor ОписХарактеристикаПропозиції постачальниківЗ терміном поставкиPNP Darlington Transistors, ON SemiconductorСтруктураpnp darlington с 2 резисторами и диодомМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В60Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)10Статический коэффициент передачи тока h21э мин100Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт65Корпусto-220Пошук з наявності в Україні: Пропозиції під замовлення:
![2N6667G, Биполярный транзистор, PNP, -60 В, 2 Вт, -10 А, 100 hFE [TO-220]](/upload/lib/974/DOC002974167.jpg)
![2N6667G, Биполярный транзистор, PNP, -60 В, 2 Вт, -10 А, 100 hFE [TO-220]](/upload/lib/187/DOC003187378.jpg)