2SJ668(TE16L1,NQ), Транзистор MOSFET P-CH Si 60В 5А [2-7J1B]

Артикул: 2SJ668(TE16L1,NQ)

Виробник:

Toshiba

Структура	p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	-60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	-5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±20
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	20
Крутизна характеристики, S	5
Корпус	2-7j1b