IKW25N120H3
Артикул: IKW25N120H3
Виробник:
Infineon Technologies
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
| Технология/семейство | trench and fieldstop |
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 50 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 100 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 326 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 27 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 277 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -40…+175 |
| Корпус | pg-to247-3 |
Пошук з наявності в Україні:
Пропозиції під замовлення: