- Товари
- Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
- BSS138, Транзистор, N-канал 50В 220мА [SOT-23]
BSS138, Транзистор, N-канал 50В 220мА [SOT-23]
Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.
Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 50 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.22 |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.36 |
Крутизна характеристики, S | 0.1 |
Корпус | sot23 |
Пошук з наявності в Україні:
Пропозиції під замовлення: