FGA40N65SMD, Транзистор IGBT Chip N-CH 650В 80А 349Вт [TO-3PN]
Товари Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs) FGA40N65SMD, Транзистор IGBT Chip N-CH 650В 80А 349Вт [TO-3PN] FGA40N65SMD, Транзистор IGBT Chip N-CH 650В 80А 349Вт [TO-3PN] Виробник: Fairchild SemiconductorДокументація: Завантажити Datasheet ОписХарактеристикаПропозиції постачальниківЗ терміном поставкиFGA40N65SMD, Транзистор IGBT Chip N-CH 650В 80А 349Вт [TO-3PN]Технология/семействоfield stopНаличие встроенного диодадаМаксимальное напряжение КЭ ,В650Максимальный ток КЭ при 25°C, A80Импульсный ток коллектора (Icm), А120Напряжение насыщения при номинальном токе, В2.5Максимальная рассеиваемая мощность, Вт349Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс12Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс92Рабочая температура (Tj), °C-55…+175КорпусTO-3PNПошук з наявності в Україні: Пропозиції під замовлення:
![FGA40N65SMD, Транзистор IGBT Chip N-CH 650В 80А 349Вт [TO-3PN]](/upload/lib/830/DOC003830720.jpg)