FGL60N100BNTD, Транзистор, IGBT, N-канальный, 60 А, 2.9 В, 180 Вт, 1 кВ, [TO-264-3]
Товари Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs) FGL60N100BNTD, Транзистор, IGBT, N-канальный, 60 А, 2.9 В, 180 Вт, 1 кВ, [TO-264-3] FGL60N100BNTD, Транзистор, IGBT, N-канальный, 60 А, 2.9 В, 180 Вт, 1 кВ, [TO-264-3] Виробник: Fairchild SemiconductorДокументація: Завантажити Datasheet ОписХарактеристикаПропозиції постачальниківЗ терміном поставкиFGL60N100BNTD, Транзистор, IGBT, N-канальный, 60 А, 2.9 В, 180 Вт, 1 кВ, [TO-264-3]Технология/семействоnpt trenchНаличие встроенного диодадаМаксимальное напряжение КЭ ,В1000Максимальный ток КЭ при 25°C, A60Импульсный ток коллектора (Icm), А120Напряжение насыщения при номинальном токе, В2.9Максимальная рассеиваемая мощность, Вт180Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс140Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс630Рабочая температура (Tj), °C-55…+150КорпусTO-264Пошук з наявності в Україні: Пропозиції під замовлення:
![FGL60N100BNTD, Транзистор, IGBT, N-канальный, 60 А, 2.9 В, 180 Вт, 1 кВ, [TO-264-3]](/upload/lib/497/DOC001497433.jpg)