GT60N321, Транзистор IGBT 1000V 60A [TO-3P/2-21F2C]

Артикул: GT60N321

Виробник:

Toshiba

Документація:

Технология/семейство	gen4
Наличие встроенного диода	да
Максимальное напряжение КЭ ,В	1000
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	60
Импульсный ток коллектора (Icm), А	120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2.8
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	170
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	330
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	700
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Корпус	2-21f2c