HGTG20N60A4D, Транзистор IGBT 600В 70А 290Вт встроенный диод [TO-247]
Товари Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs) HGTG20N60A4D, Транзистор IGBT 600В 70А 290Вт встроенный диод [TO-247] HGTG20N60A4D, Транзистор IGBT 600В 70А 290Вт встроенный диод [TO-247] Виробник: ON SemiconductorДокументація: Завантажити Datasheet ОписХарактеристикаПропозиції постачальниківЗ терміном поставкиHGTG20N60A4D, Транзистор IGBT 600В 70А 290Вт встроенный диод [TO-247]Технология/семействоSMPSНаличие встроенного диодадаМаксимальное напряжение КЭ ,В600Максимальный ток КЭ при 25°C, A70Импульсный ток коллектора (Icm), А280Напряжение насыщения при номинальном токе, В2.7Максимальная рассеиваемая мощность, Вт290Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс15Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс73Рабочая температура (Tj), °C-55…+150Корпусto-247Пошук з наявності в Україні: Пропозиції під замовлення: