HGTG30N60B3D, IGBT+диод 600В 60А [TO-247]

Артикул: HGTG30N60B3D

Виробник:

ON Semiconductor

Документація:

Технология/семейство	ufs
Наличие встроенного диода	да
Максимальное напряжение КЭ ,В	600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	60
Импульсный ток коллектора (Icm), А	220
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	1.9
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	208
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	36
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	137
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Корпус	to-247