- Товари
- Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
- IHW20N120R3 (H20R1203), Транзистор 1200V 40A 310W [TO-247-3]
IHW20N120R3 (H20R1203), Транзистор 1200V 40A 310W [TO-247-3]
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
| Технология/семейство | trench |
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 40 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 60 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 310 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 387 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -40…+175 |
| Корпус | pg-to247-3 |
Пошук з наявності в Україні:
Пропозиції під замовлення:

![IHW20N120R3 (H20R1203), Транзистор 1200V 40A 310W [TO-247-3]](/upload/lib/211/DOC001211870.jpg)
![IHW20N120R3 (H20R1203), Транзистор 1200V 40A 310W [TO-247-3]](/upload/lib/092/DOC003092940.jpg)