- Товари
- Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
- IKW40N120T2 (K40T1202), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP 2, 1200В, 40А [PG-TO-247-3]
IKW40N120T2 (K40T1202), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP 2, 1200В, 40А [PG-TO-247-3]
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
Технология/семейство | trenchstop 2 |
Наличие встроенного диода | да |
Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 75 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 160 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.2 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 480 |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 33 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 314 |
Рабочая температура (Tj), °C | -40…+175 |
Корпус | pg-to247-3 |
Пошук з наявності в Україні:
Пропозиції під замовлення: