- Товари
- Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
- IKW50N60H3 (K50H603), Транзистор, IGBT, Trench and Fieldstop, N-канал, 600В, 50А, [TO-247]
IKW50N60H3 (K50H603), Транзистор, IGBT, Trench and Fieldstop, N-канал, 600В, 50А, [TO-247]
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
| Технология/семейство | trench and fieldstop |
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 100 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 200 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 333 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 23 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 235 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -40…+175 |
| Корпус | pg-to247-3 |
Пошук з наявності в Україні:
Пропозиції під замовлення:

![IKW50N60H3 (K50H603), Транзистор, IGBT, Trench and Fieldstop, N-канал, 600В, 50А, [TO-247]](/upload/lib/119/DOC004119999.jpg)
![IKW50N60H3 (K50H603), Транзистор, IGBT, Trench and Fieldstop, N-канал, 600В, 50А, [TO-247]](/upload/lib/092/DOC003092940.jpg)