- Товари
- Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
- IKW50N60T (K50T60), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP and Fieldstop, 600В, 50А [PG-TO-247-3]
IKW50N60T (K50T60), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP and Fieldstop, 600В, 50А [PG-TO-247-3]
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
| Технология/семейство | trench and fieldstop |
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 80 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 150 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 333 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 26 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 299 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -40…+175 |
| Корпус | pg-to247-3 |
Пошук з наявності в Україні:
Пропозиції під замовлення:

![IKW50N60T (K50T60), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP and Fieldstop, 600В, 50А [PG-TO-247-3]](/upload/lib/123/DOC004123653.jpg)
![IKW50N60T (K50T60), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP and Fieldstop, 600В, 50А [PG-TO-247-3]](/upload/lib/636/DOC003636400.jpg)