- Товари
- Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
- IRF7104PBF, Транзисто, 2P-канала 20В 2.3А [SO-8]
IRF7104PBF, Транзисто, 2P-канала 20В 2.3А [SO-8]

![IRF7104PBF, Транзисто, 2P-канала 20В 2.3А [SO-8]](/upload/lib/974/DOC002974767.jpg)
![IRF7104PBF, Транзисто, 2P-канала 20В 2.3А [SO-8]](/upload/lib/097/DOC003097693.jpg)
Артикул: IRF7104PBF
Виробник:
International Rectifier
Dual P-Channel Power MOSFET, Infineon
Infineon's dual power MOSFETs integrate two HEXFET® devices to provide space-saving, cost-effective switching solutions in high component density designs where board space is at a premium. A variety of package options is available and designers can choose the Dual P-channel configuration.
Infineon's dual power MOSFETs integrate two HEXFET® devices to provide space-saving, cost-effective switching solutions in high component density designs where board space is at a premium. A variety of package options is available and designers can choose the Dual P-channel configuration.
| Структура | 2p-канала |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | -20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | -2.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Крутизна характеристики, S | 2.5 |
| Корпус | so8 |
Пошук з наявності в Україні:
Пропозиції під замовлення: