- Товари
- Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
- IRFD9120PBF, Транзистор, P-канал 100В 1А [HD1]
IRFD9120PBF, Транзистор, P-канал 100В 1А [HD1]
The IRFD9120PBF is a -100V P-channel Power MOSFET, third generation HEXFET® power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is a machine-insertable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1-inch pin centres. The dual drain serves as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1W.
• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• 175°C Operating temperature
• Easy to parallel
• Simple drive requirement
• For automatic insertion
• End stackable
| Структура | p-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | -100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | -1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.3 |
| Крутизна характеристики, S | 0.71 |
| Корпус | hd-1 |
Пошук з наявності в Україні:
Пропозиції під замовлення:

![IRFD9120PBF, Транзистор, P-канал 100В 1А [HD1]](/upload/lib/211/DOC001211613.jpg)
![IRFD9120PBF, Транзистор, P-канал 100В 1А [HD1]](/upload/lib/504/DOC003504345.jpg)
![IRFD9120PBF, Транзистор, P-канал 100В 1А [HD1]](/upload/lib/375/DOC004375369.jpg)