IRG4BC20UDPBF
Co-Pack IGBT up to 20A, Infineon
Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses.
Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses.
IGBT транзистор
Кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB, вес: 2.69
Технология/семейство | gen4 |
Наличие встроенного диода | да |
Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 13 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 52 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.1 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 60 |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 39 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 93 |
Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
Корпус | TO-220AB |
Пошук з наявності в Україні:
Пропозиції під замовлення: