- Товари
- Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
- IRG4BC30UDPBF, IGBT 600В 12А, [TO-220AB]
IRG4BC30UDPBF, IGBT 600В 12А, [TO-220AB]
Co-Pack IGBT up to 20A, Infineon
Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses.
Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses.
Технология/семейство | gen4 |
Наличие встроенного диода | да |
Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 23 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 92 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.1 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 100 |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 40 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 91 |
Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
Корпус | TO-220AB |
Пошук з наявності в Україні:
Пропозиції під замовлення: