- Товари
- Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
- IRG4IBC20KD, IGBT 600В 11А TO220FP
IRG4IBC20KD, IGBT 600В 11А TO220FP

Артикул: IRG4IBC20KD
Виробник:
International Rectifier
Co-Pack IGBT up to 20A, Infineon
Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses.
Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses.
Технология/семейство | gen4 |
Наличие встроенного диода | да |
Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 11.5 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 23 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.8 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 34 |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 54 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 180 |
Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
Корпус | to-220 fullpak |
Пошук з наявності в Україні:
Пропозиції під замовлення: