- Товари
- Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
- IRG4PC30KDPBF, IGBT 600В 28А TO247
IRG4PC30KDPBF, IGBT 600В 28А TO247
Co-Pack IGBT up to 20A, Infineon
Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses.
Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses.
| Технология/семейство | gen4 |
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 28 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 58 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 100 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 60 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 160 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
| Корпус | to-247ac |
Пошук з наявності в Україні:
Пропозиції під замовлення:



