- Товари
- Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
- IRG4PC50KDPBF, IGBT 600В 52А 8-25кГц [TO-247AC]
IRG4PC50KDPBF, IGBT 600В 52А 8-25кГц [TO-247AC]
Co-Pack IGBT over 21A, Infineon
Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses.
Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses.
| Технология/семейство | gen4 |
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 52 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 104 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 200 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 63 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 150 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
| Корпус | to-247ac |
Пошук з наявності в Україні:
Пропозиції під замовлення:

![IRG4PC50KDPBF, IGBT 600В 52А 8-25кГц [TO-247AC]](/upload/lib/775/DOC002775351.jpg)
![IRG4PC50KDPBF, IGBT 600В 52А 8-25кГц [TO-247AC]](/upload/lib/506/DOC003506500.jpg)
![IRG4PC50KDPBF, IGBT 600В 52А 8-25кГц [TO-247AC]](/upload/lib/921/DOC002921185.jpg)