- Товари
- Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
- IRGB4062DPBF, IGBT 600В 48А [TO-220AB]
IRGB4062DPBF, IGBT 600В 48А [TO-220AB]
Co-Pack IGBT over 21A, Infineon
Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses.
Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses.
| Технология/семейство | trench |
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 48 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 72 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.95 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 250 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 41 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 104 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+175 |
| Корпус | TO-220AB |
Пошук з наявності в Україні:
Пропозиції під замовлення:

![IRGB4062DPBF, IGBT 600В 48А [TO-220AB]](/upload/lib/974/DOC002974167.jpg)
![IRGB4062DPBF, IGBT 600В 48А [TO-220AB]](/upload/lib/921/DOC002921828.jpg)
![IRGB4062DPBF, IGBT 600В 48А [TO-220AB]](/upload/lib/187/DOC003187378.jpg)