- Товари
- Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
- IRGP35B60PDPBF
IRGP35B60PDPBF
Co-Pack IGBT over 21A, Infineon
Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses.
Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses.
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Корпус: TO-247AC, инфо: Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 308 Вт
Технология/семейство | npt |
Наличие встроенного диода | да |
Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 60 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 120 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.25 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 308 |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 26 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 110 |
Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
Корпус | to-247ac |
Пошук з наявності в Україні:
Пропозиції під замовлення: