- Товари
- Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
- IRGP4266DPBF, Транзистор IGBT, N-канал 650В 140А [TO-247AC]
IRGP4266DPBF, Транзистор IGBT, N-канал 650В 140А [TO-247AC]
Co-Pack IGBT over 21A, Infineon
Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses.
Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses.
Технология/семейство | gen6 |
Наличие встроенного диода | да |
Максимальное напряжение КЭ ,В | 650 |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 140 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 300 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.1 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 455 |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 50 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 200 |
Рабочая температура (Tj), °C | -40…+175 |
Корпус | to-247ac |
Пошук з наявності в Україні:
Пропозиції під замовлення: