IRGR4610DPBF
IGBT транзистор
Кол-во в упаковке: 1, корпус: TO252, вес: 0.65
Технология/семейство | gen 6.2 |
Наличие встроенного диода | да |
Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 16 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 18 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 77 |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 27 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 75 |
Рабочая температура (Tj), °C | -40…+175 |
Корпус | d-pak |
Пошук з наявності в Україні:
Пропозиції під замовлення: