- Товари
- Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
- IRLR2908PBF
IRLR2908PBF
N-Channel Power MOSFET 60V to 80V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.<BR/>
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.<BR/>
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Корпус: D-Pak, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 30 А, 120 Вт
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 39 |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±16 |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 120 |
Крутизна характеристики, S | 35 |
Корпус | dpak |
Пошук з наявності в Україні:
Пропозиції під замовлення: