IXBN75N170A, Транзистор, IGBT, 1700В, 75А [SOT-227B (minibloc)]

Артикул: IXBN75N170A

Виробник:

Ixys Corporation

Документація:

Технология/семейство	bimosfet
Наличие встроенного диода	да
Максимальное напряжение КЭ ,В	1700
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	75
Импульсный ток коллектора (Icm), А	240
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	6
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	625
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Корпус	SOT-227B