IXDN75N120, Транзистор, NPT IGBT, 1200В, 150А [SOT-227B (minibloc)]
Товари Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs) IXDN75N120, Транзистор, NPT IGBT, 1200В, 150А [SOT-227B (minibloc)] IXDN75N120, Транзистор, NPT IGBT, 1200В, 150А [SOT-227B (minibloc)] Виробник: Ixys CorporationДокументація: Завантажити Datasheet ОписХарактеристикаПропозиції постачальниківЗ терміном поставкиIXDN75N120, Транзистор, NPT IGBT, 1200В, 150А [SOT-227B (minibloc)]Технология/семействоnptНаличие встроенного диоданетМаксимальное напряжение КЭ ,В1200Максимальный ток КЭ при 25°C, A150Импульсный ток коллектора (Icm), А190Напряжение насыщения при номинальном токе, В2.7Максимальная рассеиваемая мощность, Вт660Рабочая температура (Tj), °C-55…+150КорпусTO-220ABПошук з наявності в Україні: Пропозиції під замовлення: