IXTQ50N25T, Транзистор, Trench Gate, N-канал, 50А, 250В, 60мОм [TO-3P]
Товари Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) IXTQ50N25T, Транзистор, Trench Gate, N-канал, 50А, 250В, 60мОм [TO-3P] IXTQ50N25T, Транзистор, Trench Gate, N-канал, 50А, 250В, 60мОм [TO-3P] Виробник: Ixys CorporationДокументація: Завантажити Datasheet ОписХарактеристикаПропозиції постачальниківЗ терміном поставкиIXTQ50N25T, Транзистор, Trench Gate, N-канал, 50А, 250В, 60мОм [TO-3P]Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В250Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А50Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±30Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт400Крутизна характеристики, S58Корпусto-3pПошук з наявності в Україні: Пропозиції під замовлення:
![IXTQ50N25T, Транзистор, Trench Gate, N-канал, 50А, 250В, 60мОм [TO-3P]](/upload/lib/787/DOC002787718.jpg)